Si(001)表面に対するRHEED入射電子波動場
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-07-10
著者
関連論文
- CVD成長多層グラフェン膜の顕微ラマン分光とバルク敏感XPSによる評価
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- Si(001)表面酸化過程のリアルタイム光電子分光観察 : 仕事関数と界面電子状態
- SiとTi表面での極薄酸化膜形成のリアルタイム表面分析 (特集 酸化物表面分析における最近の展開)
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- 13aXF-2 Si(001) 表面酸化様式に依存した極薄酸化膜分解過程の「その場」観察(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- Si(001)とSi(111)表面の極薄酸化膜形成過程の比較
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 20pYD-8 Si(001) 表面での初期酸化過程への 2×1/1×2 分域比の影響
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
- リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- RHEED-AES法によるSi熱酸化のリアルタイムモニタリング
- Si(100)-(2×1) 表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
- 13aXF-1 水素ラジカル照射下のダイヤモンド C(001) 表面からの二次電子放出過程の温度依存(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 薄膜磁気記録媒体における諸特性の極薄Cr基シード層組成依存性 : Cr基シード層の成長様式及び融点・酸素親和性と媒体の微細構造との関係(磁気記録媒体)
- 極薄シリコン酸化膜形成過程のリアルタイムRHEED-AES観察
- 極薄Cr基シード層への酸素暴露による薄膜媒体の結晶粒制御 : 極薄Cr基シードの酸素親和性と粒径微細化効果との関係
- 光電子制御プラズマ照射による金属基板表面への影響
- 表面物理計測の進展と機能性薄膜創製への展開 (特集 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所)
- 光電子制御プラズマ照射による金属基板表面への影響
- 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術)
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET (電子デバイス)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察 (第31回表面科学学術講演会特集号(2))
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- ラマン分光法およびXPSによるSiO_2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究(配線・実装技術と関連材料技術)
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ラマン分光法およびXPSによるSiO_2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究
- 光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェンの結晶性と電気特性： H2とArキャリアガスの比較
- Si(001)表面に対するRHEED入射電子波動場