有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製 (第31回表面科学学術講演会特集号(1))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 SiC/Ge・SiCナノドット/Si c(4x4)構造からの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製 (第31回表面科学学術講演会特集号(1))
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性 (電子部品・材料)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 (電子部品・材料)
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性