バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
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概要
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本稿では、単一磁束量子回路に電源として供給するバイアス電源電圧を高めることにより、回路の高速化を行うことを検討する。単一磁束量子回路を動作させるためのバイアス電流は、通常定電圧源に接続したバイアス抵抗を介してジョセフソン接合に供給されるが、バイアス電圧が十分高くないと定電流源として機能せず、スイッチ時間の増大が起きる。回路シミュレーションによる解析から、I_cR_s積(接合の臨界電流値とシャント抵抗の積)のおよそ100倍のバイアス電圧でスイッチ速度が飽和することが明らかとなった。また、バイアス抵抗に直列な寄生インダクタンス成分を増やすと、スイッチ速度はさらに高速化されるが、同時に時定数によりクロック周期が制限されることも分かった。バイアス電源電圧の異なるリング発振器を試作し、遅延時間を測定したところ、シミュレーション結果とよく一致する結果が得られた。
- 2010-07-15
著者
-
永沢 秀一
超電導工学研究所
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
田中 雅光
名古屋大学
-
高木 一義
名古屋大学大学院情報科学研究科
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
高木 直史
京都大学工学部情報工学教室
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院:crest-jst
-
吉川 信行
横浜国大工
-
高木 直史
名古屋大学大学院情報科学研究科情報システム学専攻
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院 工学研究院
-
Yoshikawa N
Yokohama National Univ. Yokohama Jpn
-
高本 直史
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
永沢 秀一
超電導工学研
-
高木 直史
名古屋大学情報科学研究科
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
永沢 秀一
(財)国際超電導産業技術研究センター
-
高木 一義
名古屋大学
-
高木 直史
名古屋大学
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
-
永沢 秀一
Istec-srl
-
高木 直史
京都大学大学院:crest-jst
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
高木 直史
京都大学大学院
-
高木 直史
京都大学
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