Nb-AlO_x-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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Nb-AlO_x-Nbジョセフソン接合(JJ)の超電導臨界電流値(I_c)バラツキを検討した。1000個の接合を直列接続したテスト回路を用いた低温でのI-V特性、1つの接合の4端子回路を用いた室温での接合抵抗を測定した。室温接合抵抗値は、リソグラフィーとエッチング等の製造工程起因のJJ面積バラツキから通常予想される依存性を示した。低温のI-Vカーブから算出したI_c値のバラツキは、JJ面積バラツキに起因する成分に、測定時のノイズに起因する成分が合成されたものと考えられる。相対バラツキ(ΔI_c/I_c)でみると、JJ面積バラツキに起因する成分は、臨界電流密度(J_c)には依存せず、JJ面積の平方根(正方形JJなら辺長)に逆比例し、微細接合ほど大きくなる。ノイズ起因のバラツキ成分は近似的に接合抵抗に比例の依存性を持つため、微細化による増大の程度は面積バラツキによるものより強い。
- 2010-10-12
著者
-
日高 睦夫
超電導工学研究所
-
日野出 憲治
超電導工学研究所
-
佐藤 哲朗
超電導工学研究所
-
永沢 秀一
超電導工学研究所
-
日高 睦夫
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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日高 睦夫
国際超電導産業技術研究センター
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日高 睦夫
財)国際超電導産業技術研究センター
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日高 睦夫
国際超電導産業技術研究セ
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佐藤 哲朗
(財)国際超電導産業技術研究センター
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永沢 秀一
(財)国際超電導産業技術研究センター
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日野出 憲治
(財)国際超電導産業技術研究センター
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永沢 秀一
Istec-srl
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日高 睦夫
(財)国際超電導産業技術研究センター
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日高 睦夫
国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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日高 睦夫
国際超電導産技研センター
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永沢 秀一
国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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