ニオブ系単一磁束量子(SFQ)集積回路の製造プロセス(ディジタル・一般)
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概要
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超電導工学研究所(SRL)で行っているニオブ系単一磁束量子(SFQ)回路製造プロセスの現状と将来への展望を述べた。現在は臨界電流密度2.5kA/cm^2の標準プロセスと10kA/cm^2で絶縁層の平坦化を導入したアドバンストプロセスの二つのプロセスでSFQ回路の試作を行っている。このうち標準プロセスはSRLだけでなく、共同研究先にもチップを供給しておりSFQ回路ファンドリーの機能を果たしている。アドバンストプロセス開発により、SFQ回路もCMOS回路と同様に微細化により動作速度が向上するスケーリング則が成り立つことと、平坦化により最新鋭のCMOSプロセス装置の導入が可能なことが示された。これをもとに将来のSFQ回路の集積度と動作速度を議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-19
著者
-
日高 睦夫
超電導工学研究所
-
日野出 憲治
超電導工学研究所
-
佐藤 哲朗
超電導工学研究所
-
永沢 秀一
超電導工学研究所
-
日高 睦夫
財)国際超電導産業技術研究センター
-
日高 睦夫
国際超電導産業技術研究セ
-
永沢 秀一
超電導工学研
-
永沢 秀一
(財)国際超電導産業技術研究センター
-
日野出 憲治
(財)国際超電導産業技術研究センター
-
永沢 秀一
Istec-srl
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