山口 正洋 | 東北大・工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山口 正洋
東北大・工
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
山口 正洋
東北大学大学院
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科
-
山口 正洋
東北大学
-
山口 正洋
東北大学工学部
-
島田 寛
東北大学大学院工学研究科
-
島田 寛
東北大科研
-
島田 寛
東北大・多元研
-
島田 寛
東北大
-
島田 寛
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
-
遠藤 恭
東北大学
-
鳥塚 英樹
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
-
鳥塚 英樹
東北大学大学院工学研究科
-
室賀 翔
東北大学
-
川人 祥二
静大・電研
-
丸田 佳織
三菱総合研究所
-
池田 慎治
信州大
-
池田 愼治
信州大学 工学部
-
池田 慎治
東北大
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
青山 聡
(株)ブルックマン テクノロジ
-
遠藤 恭
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
-
荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
-
室賀 翔
東北大学工学研究科
-
北上 修
東北大学多元物質科学研究所
-
岡本 聡
東北大学多元物質科学研究所
-
島田 寛
東北大学工学部
-
三束 芳央
東北大学
-
金 基〓
嶺南大学
-
小屋 祥太
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
青山 聡
静岡大学電子工学研究所
-
山口 正洋
東北大学電気通信研究所
-
小屋 祥太
東北大学
-
島田 寛
東北大学
-
難波 志織
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
青山 聡
静岡大学 電子科学研究科
-
川人 祥二
静岡大学
-
八木 正昭
崇城大学
-
八木 正昭
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
-
中居 倫夫
宮城県産業技術総合センター
-
宮澤 安範
東栄科学産業
-
宮澤 安範
凌和電子株式会社
-
小林 翔一
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
池田 愼治
東北大学大学院工学研究科
-
丸田 佳織
東北大学工学部
-
山口 正洋
東北大 通研
-
小舘 航
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
石原 昇
東京工業大学総合研究院
-
本間 尚文
東北大学大学院情報科学研究科
-
青木 孝文
東北大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 証
独立行政法人産業技術総合研究所情報セキュリティ研究センター
-
青木 孝文
東北大学 大学院情報科学研究科
-
安井 健史
東北大学大学院工学研究科
-
菅原 健
東北大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 証
産業技術総合研究所
-
宗像 誠
崇城大学
-
上西 克二
凌和電子株式会社
-
増田 則夫
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
山口 正洋
東京大学大学院医学系研究科
-
小野 裕司
Necトーキン株式会社 研究開発本部
-
小野 裕司
Necトーキン
-
Hyeon Kim
Yeungnam University
-
Aoki Takafumi
Graduate School Of Information Sciences Tohoku University:(present Address)presto Jst.
-
KIM Ki
東北大・工
-
大沼 繁弘
財団法人電気磁気材料研究所
-
大沼 繁弘
財団法人 電気磁気材料研究所
-
佐藤 敏郎
信州大学スピンデバイステクノロジーセンター
-
菊池 隼人
東北大学大学院工学研究科
-
丸田 佳織
東北大学
-
山口 正洋
東北大学 大学院工学研究科
-
佐藤 敏郎
信州大学工学部
-
山沢 清人
信州大学工学部
-
石山 和志
東北大学電気通信研究所
-
阿部 宏之
宮城県産業技術総合センター
-
及川 勝成
東北大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻
-
及川 勝成
東北大学工学研究科
-
茶谷 健一
Necトーキン
-
増田 則夫
日本電気株式会社 生産技術研究所
-
島田 寛
東北大学多元物質科学研究所
-
遠藤 恭
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
-
稲垣 孝嘉
東北大学
-
栗山 敏秀
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
宗像 誠
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
-
Kawahito Shoji
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
室賀 翔
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
丸田 佳織
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
玉置 尚哉
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
増田 則夫
日本電気株式会社
-
藪上 信
東北学院大学工学部
-
大沼 繁弘
(財)電気磁気材料研究所
-
安藤 仁司
凌和電子株式会社
-
佐藤 証
独立行政法人産業技術総合研究所
-
宗像 誠
崇城大・エネルギーエレクトロニクス研究所
-
福島 忠広
東北大学
-
薮上 信
東北大学電気通信研究所
-
秦 高梧
東北大学工学研究科
-
山田 啓壽
東北大学
-
金 基〓
東北大学大学院工学研究科
-
栗原 崇
東北大学大学院工学研究科
-
八木 正昭
崇城大・エネルギーエレクトロニクス研究所
-
佐藤 文博
東北大学大学院工学研究科
-
松木 英敏
東北大学大学院医工学研究科
-
増本 健
電気磁気材料研究所
-
安道 徳昭
日本電気株式会社
-
安道 徳昭
日本電気(株)生産技術研究所
-
北上 修
東北大多元研
-
岡本 聡
東北大多元研
-
Qin G.
東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
-
QIN G.
東北大学工学研究科
-
三浦 義正
信州大学工学部
-
馬渡 宏
東北大学電気通信研究所
-
長谷川 直也
アルプス電気(株)磁気デバイス事業部
-
小野 敏明
Necトーキン株式会社
-
小野 敏明
Necトーキン
-
小野 敏明
トーキンマイクロエレクトロニクス株式会社
-
武田 茂
(有) Magnontech
-
山口 正洋
東京大学大学院
-
菊池 弘昭
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
-
増本 健
財団法人電気磁気材料研究所
-
及川 勝成
東北大学大学院工学研究科
-
今野 陽介
NEC-TOKIN
-
松元 裕之
NEC-TOKIN
-
吉田 栄吉
NEC-TOKIN
-
鈴木 充
東北大学工学研究科
-
稲垣 孝嘉
東北大学工学研究科
-
三束 芳央
東北大学工学研究科
-
KUEPFERLING M.
INRIM
-
PASQUALE M.
INRIM
-
BERTOTTI G.
INRIM
-
OLIVETTI E.
INRIM
-
COISSON M.
INRIM
-
CELEGATO F.
INRIM
-
SERRANO-GUISAN S.
PTB
-
SCHUMACHER H.
PTB
-
KABOS P.
NIST
-
神戸 将昌
東北大・工
-
柳 修二
アルプス電気(株)
-
サンディープ ドゥンガナ
東北大学大学院工学研究科
-
ロ エン
東北大学
-
石井 豪
東北大学大学院工学研究科
-
栗山 敏秀
日本電気株式会社
-
山本 知広
信州大学工学部
-
中山 英俊
長野高専
-
阿部 哲也
東北大学
-
玉置 尚哉
日本電気(株)
-
増田 則夫
日本電気(株)
-
栗山 敏秀
日本電気(株)
-
佐藤 徳之
東北大学工学部
-
曽根原 誠
信州大学工学部電気電子工学科
-
小林 翔一
東北大学
-
卜 金清
東北大学電気通信研究所
-
玉置 尚哉
日本電気株式会社
-
白川 究
電気磁気材料研究所
-
小野 裕司
Necトーキン株式会社ファンクショナルデバイス事業本部emcデバイス事業部技術部
-
大沼 繁弘
電気磁気材料研究所
-
ドゥンガナ サンディープ
東北大学
-
菊池 弘昭
岩手大学
-
菊池 弘昭
岩手大学工学部
-
中山 英俊
信州大学工学部
-
池田 愼治
東北大
-
荒井 賢一
東北大学
-
田邊 信二
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
安道 徳昭
日本電気(株)デバイス評価技術研究所
-
曽根 原誠
信州大学工学部
-
若生 直樹
Necトーキン株式会社
-
若生 直樹
Necトーキン(株)技術開発本部
-
武田 茂
(有)Magnontech
-
菅原 英州
NECトーキン株式会社
-
白川 究
(財)電磁研
-
増本 健
(財)電磁研
-
山沢 清人
信大工
-
岩佐 忠義
(財)電気磁気材料研究所
-
山沢 清人
信州大・工
-
土田 幸清
日本電産コパル電子株式会社
-
海老根 知央
日本電産コパル電子株式会社
-
板橋 俊一
日本電産コパル電子株式会社
-
森下 初男
日本電産コパル電子株式会社
-
金 基〓
東北大学
-
福島 忠広
東北大学大学院工学研究科
-
荒木 和幸
崇城大
-
丸田 佳織
東北大・工
-
金 基〓
東北大・工
-
池田 愼治
東北大・工
-
並河 雅志
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
-
SEOK Bae
東北大学
-
KIM Ki
東北大学
-
池田 愼治
東北大学電気通信研究所
-
Hyeon Kim
東北大学電気通信研究所
-
名倉 秀明
電気磁気材料研究所
-
荒井 賢一
東北大 通研
-
馬渡 宏
東北大学通研
-
栗原 崇
東北大・工
-
田邊 信二
三菱電機・先端総研
-
菅原 賢悟
三菱電機・先端総研
-
荒木 和幸
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
-
増本 健
財団法人 電気磁気材料研究所
著作論文
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作(放送/一般)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発(EMC 一般)
- B-4-46 RF集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路の近傍磁界計測(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路からの放射磁界計測
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
- 高感度アクティブ磁界プローブによる2次元ノイズマッピング
- CMOS-SOI技術を用いた集積化アクティブ磁界プローブ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 複合構造を持つ軟磁性微粒子の初透磁率(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- 微粒子の透磁率と複合化の効果
- サブミクロン微粒子の合成と高周波材料への応用
- 複合微粒子集合体の初透磁率(Selected Papers from the Fourth International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materials(MMDM4))
- Fe系微粒子材料の高透磁率化
- 匂い経験で新しくなる嗅覚系の神経細胞
- サブμmアモルファス微粒子の合成と軟磁性
- リフトオフ法によるAl/NiFe多層構造コプレーナ線路の試作と特性評価
- 半導体素子レベル低ノイズ化を目的としたオンチップ伝送線路における磁性薄膜電磁ノイズ抑制体の基礎特性評価(EMC一般)
- 異なるCPW-FMR測定によるNi-Fe薄膜のダンピング定数に関する研究
- CPW-FMR測定による磁性薄膜のダンピング定数に関する研究
- CIP-GMRヘッドのマグノイズ基本測定
- 磁性薄膜を用いた暗号LSIのサイドチャンネルアタック抑制法とその効果検証
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- 電磁界解析と透磁率解析を連成させたDC-DCコンバータ用パワーインダクタの磁気特性モデリング
- DC-DCコンバータ用マイクロパワーインダクタの高効率低背化に関する検討
- C-2-60 Cu/Co_Zr_2Nb_多層膜構造によるスパイラルインダクタの高Q化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 薄膜円盤モデルにおける渦電流損失解析とその電磁ノイズ抑制体への適用方法に関する考察
- チップサービスを用いた伝送線路の特性と集積化磁性流体の伝送特性に与える影響
- 薄膜ノイズ抑制体を模擬した円盤モデルにおける渦電流損失の周波数特性(回路/デバイス/一般-若手研究者発表会)
- フリップチップ接続を有する近傍磁界計測用薄膜微小シールディドループプローブ(マイクロ波,ミリ波)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- MSLモデルに基づいた液晶パネルのソースバスライン電流解析
- CoFeBアモルファス金属磁性膜を用いたGHz帯用薄膜コプレーナ伝送線路の試作
- 小型磁界センサとLSIへの応用
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- B-4-55 LSIチップ内の非接触高周波電流波形観測(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 高周波マイクロ磁気デバイス用Mn-Ir/Fe-Si交換結合膜の作製と特性評価(ソフト磁性材料)
- オンチップ薄膜電磁ノイズ抑制体における損失極大周波数の反磁界による制御
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- 磁性材料のエレクトロニクス実装への応用
- C-2-81 反共振特性を利用した回路と右手/左手系線路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- マイクロ電源用薄膜磁心マイクロインダクタ
- 磁性薄膜によるICチップのRF電磁ノイズ抑制効果
- B-4-88 薄膜集積型RFノイズ抑制体における渦電流損失解析(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察(サブミリ波技術/マイクロ波電力応用/一般)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察(サブミリ波技術/マイクロ波電力応用/一般)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察
- パターン化磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタにおける共振・共鳴現象の解析
- C-2-41 LTCC技術を用いた感温型高周波アッテネータの開発(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- RF強磁性薄膜インダクタにおけるパターン化磁性膜の配置とその高周波特性
- 3^ International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materilas (MMDM3)報告(学会・研究会報告, 情報の広場)
- 磁性薄膜を用いた電磁ノイズ抑制体におけるシート抵抗の影響(生体EMC/一般)
- C-12-26 FeCoB磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタ(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-4-51 ノイズ抑制シートのFEM特性評価シミュレーション(B-4. 環境電磁工学, 通信1)
- EMCと磁気応用IV : マイクロEMC
- スリットパターン化したCoFeB/SiO_2膜の異方性磁界
- RF電磁ノイズ抑制体の動作機構シミュレーション
- 複合マイクロパターン化磁性膜
- 高飽和磁化bcc-FeCo相を含む(FeCo)-(SiO_2)膜の磁気特性とGHz透磁率特性
- EMCと磁気応用I : シールディドループコイルを用いた高周波磁界計測(連載講座)
- RF集積化マイクロ磁気デバイス(特別ワークショップ「RFマイクロエレクトロニクス」)
- 「PERMEAMETER PMM-9G1」 : 複素透磁率を9GHzまで測定可能な装置(新技術・新製品)
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- 総論
- 《第3回》プリント基板近傍の磁界計測
- C-7-7 Shielded loop coil の等価回路モデルに基づく比透磁率算出式
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- マイクロパターン化されたCoZrNb磁性膜の磁区観察
- マイクロスケールのEMC対策技術と材料評価技術
- 高周波キャリア型磁界センサにおける傾斜磁区制御方法とインピーダンス特性
- マイクロパターン化磁性膜の実効透磁率のシミュレーション(磁気応用)
- マイクロ波測定用プローブを用いたコプレーナ型高周波キャリア型磁界センサの特性評価(センサ・計測)
- GHz帯薄膜透磁率測定法
- RF集積化磁性薄膜インダクタの非線形性
- IEEE International Magnetics Conference 2009 報告
- 微小円盤の渦電流損計算とその電磁ノイズ抑制体への適用(電磁界理論)
- TMRヘッドのGHz帯ノイズにおけるスピントルクの影響
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- MFMを応用した高周波近傍磁界計測法に関する基礎研究
- CPW-FMR測定法による磁性薄膜のダンピング定数の評価(信号処理及び一般)
- MFM探針によるAM変調近傍電磁界の測定
- C-7-9 集積化したNi-Feドット列における磁化の高周波磁界応答に関する研究(C-7.磁気記録・情報ストレージ,一般セッション)