微小円盤の渦電流損計算とその電磁ノイズ抑制体への適用(電磁界理論)
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概要
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薄膜電磁ノイズ抑制体への鎖交磁束により発生する渦電流のシート抵抗に対する変化を定量的に検討するため,円盤の膜面垂直方向に磁界を印加したモデルにおける渦電流損の計算を行った.微小円盤における渦電流損は,円盤への鎖交磁束を得ることができれば,これを電磁誘導の法則に当てはめ,円盤内の渦電流を導出することにより,解析的に計算できることを示した.この微小円盤を,薄膜電磁ノイズ抑制体の膜長及び膜幅方向に多数並べたモデルを検討した.薄膜内の渦電流の経路は,微小円盤を適用したモデルにおいて,各微小円盤内で発生する渦電流を重ね合わせることにより説明することができることを示した.以上により,微小円盤モデルが薄膜電磁ノイズ抑制体の渦電流解析に極めて有用であることを明らかにした.
- 2011-02-01
著者
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
島田 寛
東北大学大学院工学研究科
-
山口 正洋
東北大学工学部
-
島田 寛
東北大科研
-
島田 寛
東北大・多元研
-
吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
-
山口 正洋
東北大・工
-
室賀 翔
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
山口 正洋
東北大学
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
島田 寛
東北大
-
室賀 翔
東北大学
-
山口 正洋
東北大学大学院
-
室賀 翔
東北大学大学院工学研究科
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