CPW-FMR測定法による磁性薄膜のダンピング定数の評価(信号処理及び一般)

概要

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最近急速に発展している磁気記録およびスピントロニクス分野では,Ni-Fe薄膜の高速磁化反転の機構解明が重要な研究課題の一つとなっている.我々は,Mi組成(x)および遷移金属(M)組成(y)の異なる50nm厚のNi_xFe_<1-x>膜および(Ni-Fe)_<1-y>M_y膜について,高速磁化反転の支配要因であるダンピング定数(α)を CPW-FMR測定法により,飽和磁歪(λ_s)を光てこ法により評価し,αとλ_sの相関を系統的に調ペた.Ni_xFe_<1-x>膜に関しては,αはxの増加にともない緩やかに減少し,x=0.78付近で最小となり,その後増加している.また,λ_sはxの増加にともない単調に減少している.また,州 1 - Fe ) , - yMy 膜に関しては,いずれの M においても, α とス 5 はいずれも y の増加にともないほぼ単調に増加し,その変化量は Pt , Au , Pd , Cr の J 頃で大きくなっている.これらの結果から, Ni-Fe系薄膜では,αとλ_sが相間関係にあり,αの支配因子が磁気弾性エネルギーによっていることを確認できた.また,αの制御法として遷移金属の添加が有効であることを示している.
社団法人電子情報通信学会の論文
2010-12-02