薄膜シールディドループプローブによる高密度プリント配線基板の磁界計測
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概要
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薄膜プロセスにより形成した微小シールディドループを有する磁界プローブを製作した.マイクロストリップ線路を用いて計測したこのプローブの空間分解能は100μm以下であり,高密度プリント配線の近傍磁界分布計測に適用した結果,以前報告したガラスセラミック基板製磁界プローブでは不可能であった線間200μmの二本の配線による磁界を分離して計測することが可能となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-12
著者
-
荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
-
山口 正洋
東北大学電気通信研究所
-
栗山 敏秀
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
卜 金清
東北大学電気通信研究所
-
玉置 尚哉
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
玉置 尚哉
NECラボラトリーズ生産技術研究所EMC技術センター
-
増田 則夫
NECラボラトリーズ生産技術研究所EMC技術センター
-
栗山 敏秀
NECラボラトリーズ生産技術研究所EMC技術センター
-
田子 雅基
NECラボラトリーズ生産技術研究所実装技術センター
-
増田 則夫
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
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