超高感度交流磁界計測のための高周波キャリア型薄膜磁界センサの設計(センサ・計測)
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概要
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We designed high-frequency-carrier type thin film sensors to obtain high impedance change. We considered the relationships between carrier current density and noise level, carrier current density and sideband level, and optimum impedance of sensor element. The meander type sensor element fabricated had an impedance change of 30 Ω/Oe at 500 MHz. Sensitivity of 4.5 × 10^<-8> Oe was demonstrated at 501 kHz using a carrier-suppression technique.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
馬渡 宏
東北大学電気通信研究所
-
荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
-
山口 正洋
東北大学電気通信研究所
-
菊池 弘昭
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
-
藪上 信
東北学院大学工学部
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
菊池 弘昭
岩手大学
-
薮上 信
東北大学電気通信研究所
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