B-4-70 シールディド・ループコイルの高周波特性と等価回路モデル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
-
上西 克二
凌和電子株式会社
-
宮澤 安範
東栄科学産業
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
宮澤 安範
凌和電子株式会社
-
安藤 仁司
凌和電子株式会社
-
山口 正洋
東北大学通研
-
荒井 賢一
東北大学通研
関連論文
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作(放送/一般)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発(EMC 一般)
- B-4-46 RF集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路の近傍磁界計測(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路からの放射磁界計測
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
- 高感度アクティブ磁界プローブによる2次元ノイズマッピング
- CMOS-SOI技術を用いた集積化アクティブ磁界プローブ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 複合構造を持つ軟磁性微粒子の初透磁率(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- 微粒子の透磁率と複合化の効果
- サブミクロン微粒子の合成と高周波材料への応用
- 複合微粒子集合体の初透磁率(Selected Papers from the Fourth International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materials(MMDM4))
- Fe系微粒子材料の高透磁率化
- LC共振を利用した高感度薄膜磁気センサの可能性 (センサ)
- LC共振を利用した高感度薄膜磁気センサの可能性
- 匂い経験で新しくなる嗅覚系の神経細胞
- サブμmアモルファス微粒子の合成と軟磁性
- リフトオフ法によるAl/NiFe多層構造コプレーナ線路の試作と特性評価
- 半導体素子レベル低ノイズ化を目的としたオンチップ伝送線路における磁性薄膜電磁ノイズ抑制体の基礎特性評価(EMC一般)
- 異なるCPW-FMR測定によるNi-Fe薄膜のダンピング定数に関する研究
- CPW-FMR測定による磁性薄膜のダンピング定数に関する研究
- 長時間鍛造した偏平状センダスト粉末・ポリマー複合体のマイクロ波帯透磁率
- 磁性薄膜を用いた暗号LSIのサイドチャンネルアタック抑制法とその効果検証
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- 電磁界解析と透磁率解析を連成させたDC-DCコンバータ用パワーインダクタの磁気特性モデリング
- DC-DCコンバータ用マイクロパワーインダクタの高効率低背化に関する検討
- SB-2-1 薄膜シールディドループコイルによる配線上の磁界計測
- 2μmグランド開口を有する高周波磁界センサー用微小ループコイルの試作
- C-2-60 Cu/Co_Zr_2Nb_多層膜構造によるスパイラルインダクタの高Q化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 薄膜円盤モデルにおける渦電流損失解析とその電磁ノイズ抑制体への適用方法に関する考察
- C-2-67 負の透磁率を用いた表皮効果抑制の実験的検証(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-66 導体/磁性体多層膜によるマイクロ波帯における表皮効果抑制(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- チップサービスを用いた伝送線路の特性と集積化磁性流体の伝送特性に与える影響
- 負の透磁率による高周波導体抵抗の低減に関する研究
- 薄膜ノイズ抑制体を模擬した円盤モデルにおける渦電流損失の周波数特性(回路/デバイス/一般-若手研究者発表会)
- フリップチップ接続を有する近傍磁界計測用薄膜微小シールディドループプローブ(マイクロ波,ミリ波)
- 薄膜磁界プローブの開発
- 薄膜シールディドループプローブによる高密度プリント配線基板の磁界計測
- 改良型薄膜シールディドループコイルの試作と特性
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- ミアンダ線路による磁性薄膜の透磁率評価の試み
- MSLモデルに基づいた液晶パネルのソースバスライン電流解析
- CoFeBアモルファス金属磁性膜を用いたGHz帯用薄膜コプレーナ伝送線路の試作
- 小型磁界センサとLSIへの応用
- 全自動1MHz-3GHz薄膜透磁率測定装置の開発
- Si-MMIC用GHz帯磁性薄膜インダクタの低損失化
- Fe-Al-Oグラニュラ膜の微細パターン化による磁気特性の制御
- 携帯機器用GHz駆動薄膜インダクタの試作
- Si-MMIC用GHz帯磁性薄膜インダクタの低損失化
- Fe-Al-Oグラニュラ膜の微細加工による磁気特性の制御
- Fe-Al-Oグラニュラー膜の微細パターン化による磁気特性の制御と薄膜インダクタへの適用
- Si-MMIC用薄膜インダクタにおける磁性膜の異方性制御と低損失化
- 携帯機器用GHz駆動磁性薄膜インダクタ
- グラニュラー高電気抵抗膜の磁気異方性と高周波損失
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- B-4-55 LSIチップ内の非接触高周波電流波形観測(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 高周波マイクロ磁気デバイス用Mn-Ir/Fe-Si交換結合膜の作製と特性評価(ソフト磁性材料)
- ミアンダ形プローブによる磁性薄膜の透磁率計測
- 多層平面コイルを用いた高周波磁気計測-高周波透磁率計測から, 2D電磁雑音マッピング, LSI電流計測まで-
- オンチップ薄膜電磁ノイズ抑制体における損失極大周波数の反磁界による制御
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- 面内および面直方向の渦電流分布を考慮した薄膜電磁ノイズ抑制体の損失計算
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向マイクロパターン化磁性膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向パターン化膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタ用CoNbZr膜の微細寸法設計
- RF集積化インダクタにおける二方向マイクロパターン化膜の効果
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 磁性膜の微細パターン化による磁気異方性の制御
- 微細パターン化磁性膜と平坦化処理プロセスを適用したRF集積化インダクタ
- RF磁性薄膜インダクタの等価回路計算
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 微細パターン化による磁性膜の高周波磁気特性の制御
- 高電気抵抗グラニュラ膜の微細パターン化とそのGHzインダクタへの適用
- (CoFeB)-(SiO_2)系GHz薄膜磁心の高電気抵抗化 : ソフト磁性材料
- (CoFeB)-(SiO_2) 超高電気抵抗膜の軟磁気特性と高周波透磁率
- (CoFeB)-(SiO_2)系GHz薄膜磁心の高電気抵抗化
- 磁性薄膜によるICチップのRF電磁ノイズ抑制効果
- 薄膜シールディドループコイルの開発と集積回路の近傍磁界計測
- 高飽和磁化bcc-FeCo相を含む(FeCo)-(SiO_2)膜の磁気特性とGHz透磁率特性
- 「PERMEAMETER PMM-9G1」 : 複素透磁率を9GHzまで測定可能な装置(新技術・新製品)
- C-7-7 Shielded loop coil の等価回路モデルに基づく比透磁率算出式
- マイクロスケールのEMC対策技術と材料評価技術
- B-4-70 シールディド・ループコイルの高周波特性と等価回路モデル
- 超高周波透磁率測定装置の開発
- 進行波型薄膜透磁率測定装置の開発
- 磁性薄膜の透磁率校正法および測定限界
- 微細な磁性薄膜の高周波透磁率計測
- 微細な磁性薄膜の高周波透磁率計測
- 微小な磁性薄膜の透磁率評価
- コンデンサ入力形整流回路の分析と計算
- 「応用磁気における計測の実際II」磁性薄膜の超高周波透磁率を計測する
- ミアンダ形プローブによる磁性薄膜の透磁率分布の評価
- ミアンダ形プローブを用いた10.6GHzまでの薄膜透磁率計測
- ミアンダ形プローブによる磁性薄膜の透磁率分布の計測
- マイクロストリップ型プローブによる薄膜透磁率計測の広帯域化
- マイクロストリッププローブによる表皮効果を利用した薄膜透磁率計測
- 表皮効果を利用した磁性薄膜透磁率測定プローブの検討