画素内A/D変換のための分散型ランプ信号生成器のばらつき解析(高機能イメージセンシングとその応用)
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概要
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CMOSイメージセンサにおいて,構造を3次元化し,各画素内にA/D変換器を配置することは,データレートの高速化と高解像度化につながるため,その実現が期待されている.そのような画素内A/D変換器として有望視されるのは,面積特性に優れるシングルスロープ型であるが,その参照信号として不可欠なランプ信号を画素領域全体で均質にすることは,非常に重要である.しかし,ランプ信号を画素領域外から供給することは,駆動するバッファアンプの負荷の点で困難である.本研究では,そのランプ信号生成器を画素内に分散配置し,それぞれのランプ信号端を相互配線接続する分散型ランプ信号生成器を提案し,その効果について検討を行った.
- 2012-05-21
著者
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
川人 祥二
静大・電研
-
川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
-
安富 啓太
静岡大学電子工学研究所
-
Kawahito Shoji
Res. Inst. Of Electronics Shizuoka Univ.
-
香川 景一郎
静岡大学電子工学研究所
-
今井 快多
静岡大学電子工学研究所
-
今井 快多
静岡大学自然科学系教育部
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究科
-
香川 景一郎
静岡大学工学研究科
-
安富 啓太
静岡大学工学部
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