三宅 亜紀 | 静岡大学電子科学研究科

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子科学研究科の論文著者

関連著者

• 三宅 亜紀

  静岡大学電子科学研究科

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 小南 裕子

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 小南 裕子

  静岡大学大学院工学研究科

• 東 直人

  静岡大学工学部

• 立岡 浩一

  静岡大学工学部

• 東 直人

  静岡大学地域共同研究センター

• 小南 裕子

  静岡大学電子工学研究所

• 立岡 浩一

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 桑原 弘

  静岡大学工学部

• 青木 徹

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 畑中 義式

  愛知工科大学

• 三宅 亜紀

  静岡大学大学院工学系研究科

• 中村 高遠

  静岡大学工学部

• 三宅 亜紀

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 清水 克美

  静岡大学電子工学研究所

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 中村 高遠

  静大院理工

• Nakamura Tomohiko

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• Nakamura T

  Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn

• Nakamura T

  Sumitomo Electric Industries Ltd.

• Nakamura Tomoyuki

  Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation

• Nakamura Takatou

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Shizuoka University

• Nakamura Takuya

  The Faculty Of Engineering Saitama University

• Nakamura Tetsuro

  Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology

• Nakamura Tetsuro

  School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Tetsuro

  Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Nakamura Toshihiko

  Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• Nakamura T

  Hokkaido Univ. Sapporo

• 三村 秀典

  静岡大学電子工学研究所

• 中西 洋一郎

  静岡大学大学院工学研究科電子工学

• 畑中 義式

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 中野 貴之

  静岡大学大学院工学系研究科

• 渥美 勝浩

  静岡大学大学院工学系研究科

• 井上 翼

  静岡大学大学院工学系研究科

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著作論文

• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
• Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
• Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
• Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
• Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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