Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))