中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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近年、新しい放射線の利用として中性子によるイメージング技術が期待されており中性子半導体検出器の開発が重要となっている。我々は、Bを中性子コンバーターに用いたBGaNを提案し、新規中性子半導体検出器として研究している。本研究ではGaNおよびBGaNをMOVPE法により作製し、放射線検出特性について評価を行った。中性子検出器として重要となるγ線とα線の分離をGaN薄膜にて評価したところα線のみに検出感度が十分にあることが確認できた。更にBGaNを作製し中性子照射を行ったところ、中性子を捕獲した際に検出信号を確認することができた。これらの結果から、我々の提案するBGaNは中性子検出半導体材料として有用であることが示された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
著者
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
-
三宅 亜紀
静岡大学大学院電子科学研究科
-
中野 貴之
静岡大学大学院工学系研究科
-
渥美 勝浩
静岡大学大学院工学系研究科
-
井上 翼
静岡大学大学院工学系研究科
-
三宅 亜紀
静岡大学大学院工学系研究科
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