Ge/GaAs連続液相エピタキシャル成長 : GaAs静電誘導サイリスタの実現をめざして

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 静岡大学の論文

著者

• 神谷 俊幸

  静岡大学大学院電子科学研究科

関連論文

• LPE成長GaAsの格子定数における不純物添加効果
• Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
• 新しいLPE法を用いたGaAs p-channel BSITの製作
• Ge/GaAs連続液相エピタキシャル成長 : GaAs静電誘導サイリスタの実現をめざして
• 高純度半導体領域を用いた新しい光パワーデバイスの開発 : GaAs SIサイリスタの実現をめざして

スポンサーリンク