液相成長法によるInGaAs/GaAsヘテロ エピタキシー
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概要
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プラズマ蒸着法によりGaAs基板に窒化シリコン膜を形成した後、ホトリソグラフィー技術を用いて、[110]または[112]方向にストライプ状の窓を形成した。液相成長法により、横方向成長を利用して窒化シリコン膜上にIn_xGa_<1-x>As(x=0.035)層を成長させた。窒化シリコン膜上の成長層は単結晶であること、横方向に広がる速さは成長最前面が(111)A面の方が(111)B面に比べ速いこと、基板の転位が窒化シリコン膜によって伝搬が妨げられ、横方向成長中の転位によるエッチピット密度はGaAs基板上の成長層に比べて約1/100に減少すること等がわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
柳田 浩行
静岡大学電子工学研究所
-
菊澤 充男
静大電子
-
菊澤 充男
静岡大学電子工学研究所
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