成塚 重弥 | 名城大学理工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 名城大学理工学部の論文著者

関連著者

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部

• 成塚 重弥

  名城大・理工

• 成塚 重弥

  名城大学大学院理工学研究科

• 丸山 隆浩

  名城大・理工

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 西永 頌

  名古屋大学工学部

• 西永 頌

  東京大学工学系研究科

• 丸山 隆浩

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 丸山 隆浩

  名城大学理工学部

• 西永 頌

  豊橋技術科学大学

• 成塚 重弥

  名城大学 理工学部 材料機能工学科

• 寺前 文晴

  名城大・理工

• 成塚 重弥

  東京大学大学院工学系研究科

• 西永 頌

  東京大学大学院工学系研究科

• 近藤 俊行

  名城大・理工

• 西永 頌

  名城大学理工学部

• 手嶋 康将

  名城大学理工学部

• 鈴木 堅志郎

  名城大学理工学部

• 水谷 充宏

  名城大・理工

• 黄 衛東

  Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology

• 巖 崢

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 黄 衛東

  Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Science And Technology

• 丸山 隆浩

  名城大理工

• 成塚 重弥

  名城大理工

• 斎藤 弘智

  名城大理工

• 鈴木 喬

  名城大理工

• NISHINAGA Tatau

  Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, University of Tokyo

• 西永 頌

  Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology

• 成塚 重弥

  Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology

• Nishinaga Tatau

  Department Of Clectronic Engineering The Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• 山本 陽

  21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

• Huang W

  Univ. Sci. And Technol. China Anhui Chn

• NARITSUKA Shigeya

  Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, The University of Tokyo

• Nishinaga T

  Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Science And Technology Meijo University

• HUANG Weidong

  Departlnent of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology, Meijo Universit

• Naritsuka Shigeya

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• 纐纈 明伯

  東京農工大学大学院・工学系

• 松田 圭司

  名城大理工

• 松田 圭司

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 宰川 法息

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 寺嶋 一高

  湘南工科大学

• 寺嶋 一高

  湘南工科大学マテリアル工学科

• 西村 鈴香

  湘南工科大学マテリアル工学科

• 竹内 智彦

  慶應義塾大学理工学研究科

• 大坪 弘明

  名城大・理工

• 山本 陽

  21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 山本 陽

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 斎藤 弘智

  名城大・理工

• 方 炯軫

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 丸山 隆浩

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 成塚 重弥

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 近藤 俊行

  名城大理工

• 伊藤 浩士

  名城大・理工

• 纐纈 明伯

  東京農工大

• 服部 篤

  名城大・理工

• 藤井 裕也

  名城大・理工

• 山本 朗夫

  名城大・理工

• 今井 巧

  名城大・理工

• 小林 理

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 光田 和弘

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 鈴木 喬

  名城大学理工学部

• 松永 泰彦

  東京大学大学院工学系研究科

• Nishinaga Tatau

  School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• 方 炯軫

  名城大21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

• Maruyama Takahiro

  Materials Science And Engineering Meijo University

• Shimada I

  Department Of Life Science University Of Hyogo

• NARITSUKA Shigeya

  Materials Science and Engineering, Meijo University

• KOBAYASHI Osamu

  Materials Science and Engineering, Meijo University

• HUANG W.

  Department of Chemistry, National University of Singapore

• Nishinaga T.

  Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo

• Naritsuka H.

  Dept. Develop. Biol. & Neurosci., Grad. Sch. Life Sci. Tohoku. Univ.

• Narikawa S.

  Dept. Develop. Biol. & Neurosci., Grad. Sch. Life Sci. Tohoku. Univ.

• Koganezawa M.

  Dept. Develop. Biol. & Neurosci., Grad. Sch. Life Sci. Tohoku. Univ.

• Shimada I.

  Dept. Develop. Biol. & Neurosci., Grad. Sch. Life Sci. Tohoku. Univ.

• Koganezawa M

  Department Of Developmental Biology And Neurosciences Graduate School Of Lifesciences Tohoku Univers

• 竹内 智彦

  慶應義塾大学

• MIZUTANI M.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• TERAMAE F.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• TAKEUCHI K.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• MURASE T.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• NARITSUKA S.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• MARUYAMA T.

  Materials Science & Engineering, Meijo Univ.

• NARITSUKA S.

  Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology, Meijo University

• Nishinaga T.

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering University Of Tokyo

• Nishinaga T.

  Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Narikawa S.

  Dept. Develop. Biol. & Neurosci. Grad. Sch. Life Sci. Tohoku. Univ.

• Huang W

  Department Of Materials Science And Engineering Faculty Of Science And Technology Meijo University

• Teramae F.

  Materials Science & Engineering Meijo Univ.

• Koganezawa M.

  Dept. Biol. Sci. Tohoku Univ.

• Murase T.

  Materials Research Center Tdk Corporation

• Murase T.

  Materials Science & Engineering Meijo Univ.

• Huang W.D.

  Department of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology, Meijo University

• Nishinaga Tatau

  Departlnent of Materials Science and Engineering, Faculty of Science and Technology, Meijo University

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著作論文

• LPE法によるGe(111)表面のステップフリー化
• 26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
• 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• 01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• 26aE02 ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Thin Film and Epitaxial Crystal Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
• 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
• 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
• 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
• 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
• MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
• リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
• Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
• 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
• Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
• AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
• 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
• 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
• 23aB6 2次元拡散シミュレーションによるInP液相マイクロチャネルエピタキシーの解析(エピタキシャル成長I)
• 23aB5 マイクロチャネルエピタキシにおける横方向成長層の合体と転位導入の抑制(エピタキシャル成長I)
• 窒化物半導体の結晶成長の現状と課題 : 光・電子デバイスの飛躍的な性能向上を目指して(日本結晶成長学会特別講演会)
• 量子ドットの使い道(量子ドットの使い道)
• 日本結晶成長学会の醍醐味(閑話休題)
• 結晶成長のフロンティアに向けて(ナノ構造・エピタキシャル成長分科会)(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 会員数の変遷が示す日本結晶成長学会発展への課題(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• Numerical Model for Oxygen Incorporation into AlGaAs Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy
• Microchannel Epitaxy of GaAs from Parallel and Nonparallel Seeds : Structure and Mechanical and Thermal Properties of Condensed Matter
• AlSb Compositional Nonuniformity Induced by Different Ga-Al Exchange Modes in the Melt Growth of Al_xGa_Sb
• A VISUAL CUE ENHANCES DIFFERENTIAL SENSITIVITY IN THE FEEDING BEHAVIOR OF DROSOPHILA(Physiology)(Proceeding of the Seventy-Third Annual Meeting of the Zoological Society of Japan)
• Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
• Comparative Ground Experiment of GaSb:Te Melt Growth to the Space Experiment by Chinese Recoverable Satellite

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