02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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By using microchannel epitaxy (MCE), it is possible to obtain the growth layer without dislocations reported on the substrate which has many dislocations. Although a lot of studies about MCE of GaAs were already reported, few studies was reported about MCE of AlGaAs. In this study MCE of AlGaAs layer is performed and the growth parameter dependence of AlGaAs MCE are studied.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
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