26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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GaAs (001) surfaces were nitrized by using RF-MBE in order to fabricate a NANO-lithography mask. The RMS roughness of the mask has relationship with the formation of the nano particles on the surface concerned with As evaporation and Ga migration.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
近藤 俊行
名城大・理工
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
山本 陽
名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"
-
斎藤 弘智
名城大・理工
-
方 炯軫
名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"
-
丸山 隆浩
名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"
-
成塚 重弥
名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"
-
斎藤 弘智
名城大理工
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
方 炯軫
名城大21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
山本 陽
21世紀coeプログラム"ナノファクトリー
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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