アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保ち、V/III比を5〜1000範囲で変化させると、選択成長したGaN層の形状が大きく変化した。V/III比が低いときは切り立った{11-20}面が側面に形成されるが、V/III比が大きくなると側面に{11-22}斜面が形成し、成長層の平坦化が進んだ。GaN層の成長形状がV/III比に強く依存するのは、結晶面の表面エネルギーがV/III比により大きく変化するためである。次に、マスクに作製した線状の開口(マイクロチャンネル)と垂直方向から、なおかつ、基板に低角に分子線を供給することにより、低角入射マイクロチャネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなった。V/III比は40と固定し、成長温度を750℃〜860℃の範囲で変化させることにより、横方向成長に適する条件を検討した。その結果、マスク上に約5.9μm伸びた横方向成長層を得ることに成功した。
- 2011-05-12
著者
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