温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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マイクロチャネルエピタキシー(MCE)は、格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおける転位低減化に適しており、例えばSi基板上のGaAs無転位領域の成長に成功している。しかし、無転位領域の幅を大きく広げたい場合には、従来型の液相成長(LPE)では限界がある。そこで、我々は、永続的成長を可能にする温度差法に注目した。水素を基板の裏側に直接当て冷却することで温度差を形成し、永続的成長に成功した。今回は、温度差法成長をMCEに適用し、横方向成長条件を検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
著者
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
手嶋 康将
名城大学理工学部
-
鈴木 堅志郎
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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