4.半導体エピ(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
-
「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告
-
温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
-
リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
-
4.半導体エピ(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)
スポンサーリンク