丸山 隆浩 | 名城大学理工学部
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概要
関連著者
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丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
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丸山 隆浩
名城大学理工学部
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成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
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成塚 重弥
名城大・理工
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丸山 隆浩
名城大・理工
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成塚 重弥
名城大学理工学部
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成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
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手嶋 康将
名城大学理工学部
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鈴木 堅志郎
名城大学理工学部
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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西永 頌
豊橋技術科学大学
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西永 頌
名城大学理工学部
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西永 頌
名古屋大学工学部
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長嶋 剣
東北大学大学院理学研究科
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高岸 洋一
立命館大学理工学部
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松田 圭司
名城大学理工学部材料機能工学科
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宰川 法息
名城大学理工学部材料機能工学科
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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佐藤 正英
金沢大学総合メディア基盤センター
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勝野 弘康
学習院大学計算機センター
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佐崎 元
北海道大学低温科学研究所
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勝野 弘康
名古屋大学大学院理学研究科
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鈴木 喬
名城大理工
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志村 玲子
東北大学金属材料研究所
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木村 博充
東北大学金属材料研究所
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佐崎 元
大阪大学大学院工学研究科
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小林 理
名城大学理工学部材料機能工学科
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光田 和弘
名城大学理工学部材料機能工学科
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鈴木 喬
名城大学理工学部
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Nagashima Ken
Department Of Earth And Planetary Materials Science Graduate School Of Science Tohoku University
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木村 博充
東北大学金属材料研究所 博士課程
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長嶋 剣
阪大・工
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勝野 弘康
名古屋大学
著作論文
- ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
- 「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- 4.半導体エピ(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)