リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
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概要
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We have conducted lateral growth by low angle incidence MBE. In this work, we carried out epitaxial lateral growth from ridge structure. The incidence angles were chosen as 12°and 21°in the growth and effect of incidence angle was studied.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大学理工学部材料機能工学科
-
成塚 重弥
名城大・理工
-
丸山 隆浩
名城大・理工
-
鈴木 喬
名城大理工
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
丸山 隆浩
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学理工学部
-
西永 頌
豊橋技術科学大学
-
西永 頌
名城大学理工学部
-
鈴木 喬
名城大学理工学部
-
成塚 重弥
名城大学大学院理工学研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
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