丸山 隆浩 | 名城大・理工

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概要

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• 丸山 隆浩

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• 成塚 重弥

  名城大学大学院理工学研究科

• 成塚 重弥

  名城大・理工

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部

• 丸山 隆浩

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 成塚 重弥

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 丸山 隆浩

  名城大学理工学部

• 寺前 文晴

  名城大・理工

• 近藤 俊行

  名城大・理工

• 手嶋 康将

  名城大学理工学部

• 鈴木 堅志郎

  名城大学理工学部

• 水谷 充宏

  名城大・理工

• 林 家弘

  名城大学大学院理工学研究科

• 丸山 隆浩

  名城大学大学院理工学研究科

• 内山 翔太

  名城大学大学院理工学研究科

• 丸山 隆浩

  名城大理工

• 成塚 重弥

  名城大理工

• 斎藤 弘智

  名城大理工

• 鈴木 喬

  名城大理工

• 西永 頌

  東京大学工学系研究科

• 西永 頌

  豊橋技術科学大学

• 西永 頌

  名城大学理工学部

• 山本 陽

  21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

• 西永 頌

  名古屋大学工学部

• 松田 圭司

  名城大理工

• 松田 圭司

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 宰川 法息

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 大坪 弘明

  名城大・理工

• 山本 陽

  21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 山本 陽

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 斎藤 弘智

  名城大・理工

• 方 炯軫

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 丸山 隆浩

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 成塚 重弥

  名城大21世紀COEプログラム"ナノファクトリー"

• 近藤 俊行

  名城大理工

• 伊藤 浩士

  名城大・理工

• 服部 篤

  名城大・理工

• 藤井 裕也

  名城大・理工

• 山本 朗夫

  名城大・理工

• 今井 巧

  名城大・理工

• 小林 理

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 光田 和弘

  名城大学理工学部材料機能工学科

• 鈴木 喬

  名城大学理工学部

• 方 炯軫

  名城大21世紀coeプログラム"ナノファクトリー

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著作論文

• LPE法によるGe(111)表面のステップフリー化
• 26aC10 LPE法によるGe(111)メサ型パターン基板上ステップフリー表面の作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• ステップフリー基板作製を目指したメサ型パターン上のGe薄膜成長(半導体薄膜・表面)
• 01pB02 GaNドット構造の液滴エピタキシーにおけるアンモニア雰囲気中の熱処理効果(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 26aC11 GaAs表面の窒化によるナノリソグラフィー用マスクの作製(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
• 26aE02 ビーム誘起横方向成長を用いたGaAsマイクロ構造の成長(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Thin Film and Epitaxial Crystal Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of JACG)
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
• 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
• 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
• 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
• 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
• 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
• MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
• リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
• アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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