原子層制御から原子位置制御へ (原子層制御から原子制御へ<特集>)
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概要
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The recent progress in epitaxial technology is now opening the age of Atomic Position Controlled Epitaxy (APCE) . Toward this technology, the understanding of the elemental growth process is basically important. In this article, the recent understanding on the elemental growth process in GaAs MBE is reviewed and it is pointed out that there are contradicting experimental results in the determination of surface diffusion length of Ga in GaAs MBE, The important problems to be solved to get APCE technology are finally discussed.
- 日本結晶学会の論文
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