磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-09-01
著者
-
田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
-
林 稔晶
東京大学工学系研究科
-
西永 頌
東京大学工学系研究科
-
田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
-
清水 大雅
東京大学工学系研究科
-
西永 頌
名古屋大学工学部
関連論文
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- CS-8-10 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ、MEMS)・光ファイバ、一般)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ
- 21世紀を展望する(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 宇宙ステーション時代の新世紀に向けて
- 22pTD-1 はじめに
- 22pTD-1 はじめに
- LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- 強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
- III-V族磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- 30p-ZF-4 (GaMn)As/AlAsおよびMnAs/GaAsヘテロ構造における磁気輸送特性
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計、作製及び磁気光学特性(磁気光学・光磁気記録)
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計及び磁気光学物性
- GaAs MBE成長における(lll)B隣接面上でのマクロステップ生成・消滅のその場観察 : 成長界面I
- Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム
- 融液成長Al_xGa_Sb におけるファセット部オフファセット部でのミクロな組成変動
- Si(001)表面ステップハンチングに及ぼすAs照射の効果とGaAsバッファ層の結晶化過程 : エピタキシャル成長III
- AlxGa1-xSb単結晶のたて型ブリッジマン成長
- 垂直型温度勾配凝固法によるGaSb単結晶中のTe分布-宇宙実験との比較-
- 23aB7 上ソースを用いたSi上のInPマイクロチャンネルエピタキシーの成長条件最適化(エピタキシャル成長II)
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (磁性体物理)
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長とその伝導特性
- 磁性体/半導体エピタキシャル超構造:3-5族強磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- MnAs/GaAsグラニュラー構造の磁気・磁気光学的性質
- 磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
- 半導体をベースとしたエピタキシャル強磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果とその応用可能性
- 理論家と実験家は一つになれるか
- 結晶成長とマイクログラビティ
- 学長インタビュー 豊橋技術科学大学 ものづくりの喜びとともに歩む「らせん型教育」の実践
- 国立大学法人化 大学はこう変わったパート2(33)事務改革の取組について(3)
- 微小重力下で成長させたGaSbにおけるTe濃度分布X線トポグラフによる測定
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)報告
- 微小重力下と半導体
- B-010 現代GP「持続可能な社会につながる環境教育の推進」における持続社会コーディネーター育成の試み : 持続可能技術と社会の橋渡しを目指す教育プログラムの構築(ポスター発表論文,(B)工学教育に関するGood Practice)
- 03aA01 バルク成長分科会設立のころ : 原点を振り返り今後を考える(バルク成長シンポジウム(1),第36回結晶成長国内会議)
- ヘテロエピタキシにおける無転位技術 : マイクロチャネルエピタキシ : その可能性を探る(学会統合記念)
- 26aE01 面間拡散とその応用 : マイクロ・ナノ構造の作製に向けて(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- 格子定数差の大きなヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術 : マイクロチャネルエピタキシー : 発想の原点と将来展望
- 結晶成長学会とともに(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 技術教育の多様性
- グローバルな視点からの自動車技術
- 日本の大学の実力(私の意見)
- 日本マイクログラビティ応用学会会報発刊のころ
- 第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11)(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- マイクロプローブ-RHEED/SEM MBEによるGaAsピラミッド形成の実時間観察と形態制御 : エピタキシャル成長III
- 化合物半導体における格子不整合とマイクロチャネルエピタキシー
- エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造におけるスピン注入磁化反転効果
- 29pXH-4 III-V族半導体ヘテロ構造における磁性制御 : Mnデルタドーピングとp型選択ドーピング(領域10シンポジウム : ナノスケール構造を利用した物質創製-材料種の枠を超えて)(領域10)
- MnデルタドープGaAsとそのヘテロ構造 : 強磁性転移温度と磁性制御
- スピンMOSFETとその応用
- MnδドープGaAsをベースとした半導体ヘテロ構造の物性と高い強磁性転移温度(-172K)
- Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
- 半導体ベース磁性ヘテロ構造エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果
- 半導体ベース磁性ヘテロ構造 : エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果
- エピタキシャル強磁性金属薄膜/半導体の成長・構造・機能
- 29p-T-4 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導II
- 26a-P-11 エピタキシャルCoAl薄膜の低温電気伝導
- MnAsテノクラスターとGaAs/AlAs半導体DBRからなる多層膜における磁気光学効果の増大
- 半導体ベース磁性フォトニック結晶
- GaAs/AlAs DBRを用いた半導体/強磁性体金属複合構造GaAs:MnAs及び磁性半導体(GaMn)Asの磁気光学効果の増大
- 25aL-4 GaAs分子線エピタキシにおける二次元核の制御と微細構造作製への応用
- 微小重力下でのシリコンの融液成長(無重力下における結晶成長)
- 有住徹彌名大名誉教授を悼む
- 27pC13 GaAs MBE成長における再構成構造のダイナミクス(気相成長IV)
- GaAs-MBE成長におけるGaのAs取り込みメカニズム : 気相成長II
- Gaフラックス過剰下でのGaAs-MBE成長 : 気相成長II
- MBE成長における核形成とステップカイネティックス(原子レベルでの結晶成長)
- 低As圧下でのModulation MBE : エピタキシーI
- 磁性元素を含むIII-V族半導体ヘテロ接合:磁気輸送特性と強磁性制御 (特集 スピントロニクス(1)スピン伝導)
- 分子線エピタキシーによるSiとGaAs基板上に成長した強磁性MnAsエピタキシャル薄膜の 磁気光学スペクトル
- 宇宙で成長させたGaSbのX線トポグラフおよびX線回折法による評価
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか-,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(領域3,領域4合同シンポジウム:スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 27pC12 GaAs基板上InAs MBEの初期過程(気相成長IV)
- 半導体におけるスピン生成 : 半導体スピントロニクスの最近の進展
- CT-1-8 スピンデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 半導体スピンエレクトロニクス : 現状と展望
- 半導体スピンエレクトロニクス
- ニピタキシャルIII-V族強磁性半導体ヘテロ構造とそのトンネル磁気抵抗効果
- 総論 スピントロニクスの現状と展望
- III-V族半導体中に形成されたMnAsナノクラスター構造の磁気光学効果と半導体導波路型光アイソレータへの応用
- フライブルグ大学K.W.Benz教授退官記念コロキューム(閑話休題)
- ステップ面成長の原子的プロセス
- 温度勾配下でのマクロステップ消滅の解析 : 基礎II
- 結晶成長を学問として
- わが国宇宙実験黎明期における半導体の結晶成長 (特集 国際宇宙ステーション時代の結晶成長(その1))
- 第7回先端材料国際会議(ROCAM 2012)および結晶成長と太陽電池材料に関する国際スクール
- 原子層制御から原子位置制御へ (原子層制御から原子制御へ)
- ホップ・ステップ・ジャンプ 薄膜エピタキシの基礎
- 7pWA-4 エピタキシャル強磁性半導体ヘテロ接合におけるスピン依存伝導とトンネル磁気抵抗効果(主題:強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4)
- 7pWA-4 エピタキシャル強磁性半導体ヘテロ接合におけるスピン依存伝導とトンネル磁気抵抗効果(強磁性体/半導体ヘテロ接合・界面におけるスピン偏極電子伝導,領域3,領域4合同シンポジウム,領域3)
- 第9回結晶成長国際会議報告
- 軸足の位置
- 西岡先生の思い出