GaAs/AlAs DBRを用いた半導体/強磁性体金属複合構造GaAs:MnAs及び磁性半導体(GaMn)Asの磁気光学効果の増大
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概要
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- 2000-02-07
著者
-
田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
-
宮村 信
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮村 信
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
清水 大雅
東京大学工学系研究科
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