強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果

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概要

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• 2005-03-11

著者

• 大矢 忍

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 田中 雅明

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 田中 雅明

  東京大学 工学系研究科電子工学専攻

• Hai Pham

  東京大学

• 田中 雅明

  東京大学

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