MnδドープGaAsをベースとした半導体ヘテロ構造の物性と高い強磁性転移温度(-172K)
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概要
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- 2002-03-14
著者
-
田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
菅原 聡
東京大学工学系電子工学:presto-jst
-
田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
-
ナズムル アーサン
東京大学工学系研究科
-
菅原 聡
東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻
-
ナズムル アーサン
東京大学
-
ナズムル アーサンm.
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻:jstさきがけ研究21
-
菅原 聡
東京大学
-
田中 雅明
東京大学
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