半導体ベース磁性フォトニック結晶
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-09-01
著者
-
田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
宮村 信
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮村 信
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
清水 大雅
東京大学工学系研究科
-
田中 雅明
CREST
関連論文
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- CS-8-10 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ、MEMS)・光ファイバ、一般)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果
- III-V族磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- 30p-ZF-4 (GaMn)As/AlAsおよびMnAs/GaAsヘテロ構造における磁気輸送特性
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計、作製及び磁気光学特性(磁気光学・光磁気記録)
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計及び磁気光学物性
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- 磁性体/半導体エピタキシャル超構造:3-5族強磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- MnAs/GaAsグラニュラー構造の磁気・磁気光学的性質
- 磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
- 半導体をベースとしたエピタキシャル強磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果とその応用可能性
- エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造におけるスピン注入磁化反転効果
- MnδドープGaAsをベースとした半導体ヘテロ構造の物性と高い強磁性転移温度(-172K)
- Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
- MnAsテノクラスターとGaAs/AlAs半導体DBRからなる多層膜における磁気光学効果の増大
- 半導体ベース磁性フォトニック結晶
- GaAs/AlAs DBRを用いた半導体/強磁性体金属複合構造GaAs:MnAs及び磁性半導体(GaMn)Asの磁気光学効果の増大
- 分子線エピタキシーによるSiとGaAs基板上に成長した強磁性MnAsエピタキシャル薄膜の 磁気光学スペクトル
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか-,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(領域3,領域4合同シンポジウム:スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 半導体におけるスピン生成 : 半導体スピントロニクスの最近の進展
- CT-1-8 スピンデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 半導体スピンエレクトロニクス : 現状と展望
- 半導体スピンエレクトロニクス
- ニピタキシャルIII-V族強磁性半導体ヘテロ構造とそのトンネル磁気抵抗効果
- 総論 スピントロニクスの現状と展望
- III-V族半導体中に形成されたMnAsナノクラスター構造の磁気光学効果と半導体導波路型光アイソレータへの応用
- 不揮発性CPUを用いた待機電力ゼロの電子システムの検討(組込みアーキテクチャ,組込み技術とネットワークに関するワークショップETNET2012)
- 不揮発性CPUを用いた待機電力ゼロの電子システムの検討(組込みアーキテクチャ,組込み技術とネットワークに関するワークショップETNET2012)