半導体ベース磁性ヘテロ構造 : エピタキシャル強磁性トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果
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概要
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将来のスピンエレクトロニクス・デバイスにとって最も重要な現象の1つが、磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果(TMR)である。本論文は、半導体デバイス技術と整合性の良い2つのエピタキシャルヘテロ構造;GaMnAs/AlAs/GaMnAsから成る強磁性/非磁性半導体トンネル接合、およびMnAs/AlAs/MnAsから成る強磁性金属/半導体トンネル接合を作製し、そのTMRを明瞭に観測した結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-26
著者
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田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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田中 雅明
東京大学工学系研究科電子工学専攻:科学技術振興事業団
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田中 雅明
東大
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