ツーフロー型有機金属気相成長法を用いたサファイア基板上へのGaN直接成長における大きな横方向成長速度 : エピタキシャル成長I
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概要
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The inclination of subflow tube gives a large influence on the lateral growth rate of GaN. Under the optimum inclination, the reactant gas stays long on the substrate surface , which leads to the efficient decomposition of NH_3, and drains out on the substrate to all directions, which promotes both the lateral and vertical growth rate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
-
夏目 新
大阪府立大学先端科学研究所
-
森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
-
井上 直久
大阪府立大先端研
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