篠原 正典 | Nttマルチメディア事業部
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概要
関連著者
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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篠原 正典
NTT LSI研究所
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篠原 正典
NTTマルチメディア推進本部
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井上 直久
NTT LSI研究所
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酒井 政道
埼大院理工
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井上 直久
大阪府大
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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横山 春喜
NTT LSI研究所
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篠原 正典
NTT・LSI研
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井上 直久
Ntt Lsi研
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谷本 正文
NTT LSI研究所
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大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
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酒井 政道
東北大金研
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酒井 政道
東北大・金研
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谷本 正文
Ntt基礎技術総合研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
NTT LSI研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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藤原 正典
NTT LSI研究所
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本間 芳和
東京理科大学
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酒井 政道
埼工大
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酒井 政道
埼玉大・工
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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荒木 努
大阪府立大学工学部
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森本 恵造
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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本間 芳和
NTT基礎技術総合研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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井上 直久
大阪府大先端研
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt基礎総研
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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森本 恵造
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大先端研
著作論文
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- CBr_4を用いた炭素ドープInGaAs結晶の成長 : 半導体液相成長II
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- 27aYC-3 電界変調反射スペクトルからみたAl_xGa_As(x=0, 03)薄膜の光学応答の非局所性
- N型GaAsにおける表面フェルミエネルギーの温度依存性とキャリヤダイナミクス
- 1p-F-7 MOCVD法によって作成したn型GaAsにおけるフォトリフレクタンススペクトルの温度依存性とキャリヤ散乱機構
- 30p-X-13 GaAs及びAl_xGa_Asにおけるフォトリフレクタンス強度の温度依存性と電子輸送
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- GaAs,AlGaAs成長時の表面,界面のナノオーダ凹凸の制御
- 半導体超薄膜と量子井戸 (薄膜技術の現状と展開--これからの薄膜) -- (新しい電気・電子,磁気特性の発現を探る)
- 半導体超薄膜と量子井戸