CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察

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概要

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• TBAを用いたCBE成長GaAs表面、およびTBA中、真空中での熱処理をしたGaAs表面のSTM観察について述べる。TBA中熱処理では、固体Asを用いる方法と比較して幅の広いテラスが形成される。CBE成長のテラスも、高温成長に比較して大きくなる。また、2次元成長した表面はTBA中アニールによって平坦性が回復することがわかった。TBA中熱処理後の表面、および成長後の表面で(2×4)構造の個々のAsダイマが観察され、真空中の熱処理により、(2×6)構造に変化する。(2×6)構造を形成した後、ステップ端からのAsの脱離によってGa面が露出する過程を明らかにした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-05-19

著者

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  NTT LSI研究所

• 篠原 正典

  NTT LSI研究所

• 谷本 正文

  NTT LSI研究所

• 篠原 正典

  Nttマルチメディア事業部

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 谷本 正文

  Ntt基礎技術総合研究所

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