ケルビンプローブ力顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価
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概要
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ケルビンプローブカ顕微鏡(KFM)を半導体デバイス・プロセス評価へ適用した. KFM測定の電位分解能は5mV以下, 空間分解能は40nm程度である. 測定したKFM電位は大気中での測定にもかかわらず, 試料表面のフェルミレベルに対応している. KFM観察により, pn接合2次元不純物濃度の測定ができ, また, バイアス印加したMOSFETのチャネル形成に伴い空乏層が基板方向にのびる様子が観察できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-15