溝川 悠介 | 大阪府立大学総合教育研究機構

スポンサーリンク

概要

• 溝川 悠介の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 大阪府立大学総合教育研究機構の論文著者

関連著者

• 溝川 悠介

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 上浦 良友

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研究所

• 応 文標

  上海応用技術学院数理教学部

• 棚橋 克人

  大阪府立大学総合科学部

• 棚橋 克人

  大阪府立大学先端科学研研所

• 応 文標

  大阪府立大学総合科学部

• 井上 直久

  大阪府大先端研

• 井上 直久

  大阪府大

• 井上 直久

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大学 先端科学研究所

• 井上 直久

  大阪府立大先端研

• 佐野 雄一

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 川本 和則

  株式会社デンソー

• 川本 和則

  日本電装株式会社

• 溝川 悠介

  阪府大総科

• 飯田 真喜男

  株式会社デンソー

• 中西 繁光

  大阪府立大、総合科、物質

• 笹倉 裕之

  浜松医大物理

• 笹倉 裕之

  浜松医大医

• 大嶋 隆一郎

  大阪ニュークリアサイエンス協会

• 溝川 悠介

  大阪府立大学総合科学部

• 李 成泰

  阪大・産研

• 楊 偉毅

  School Of Electronic Engineering & Optoelectronic Technology Nanjing University Of Science &

• 大嶋 隆一郎

  阪府大先端研

• 吉田 健一

  (独)日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 中尾 基

  大阪府立大学

• 津久井 茂樹

  阪府大先端研

• 濱田 利和

  大阪府立大学総合科学部

• 吉田 健一

  浜松医大物

• 大嶋 隆一郎

  大阪大学基礎工学部

• Oshima R

  Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn

• 柿本 昌史

  大阪府立大学大学院理学系研究科物質科学専攻

• 飯田 眞喜男

  株式会社デンソー

• 西松 正文

  大阪府立大学総合科学部

• 柿本 昌史

  大阪府立大学大学院理学系研究科

• 中村 勝吾

  大阪大学産業科学研究所

• 岩田 智巳

  大阪府立大学総合科学部

• 井上 靖

  大阪府立大学総合科学部

• 松村 博史

  大阪府立大学総合科学部

• 杉本 健

  大阪府立大学総合科学部

• 宮瀬 淳

  大阪府立大学総合科学部

• 山岡 正美

  日本電装株式会社

• 榊原 利夫

  日本電装株式会社

• 長谷川 繁彦

  大阪大学産業科学研究所

• 長谷川 繁彦

  阪大産研

• 井上 直久

  大阪府立大学附属先端科学研究所

• 梅沢 憲司

  大阪府立大学総合科学部

• 岩崎 裕

  大阪大学産業科学研究所

• 岩崎 裕

  阪大産研

• 菊池 通真

  大阪府立大学先端科学研究所

• 井口 晴義

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 渡辺 恵子

  大阪府立大学総合教育研究機構

• 中塚 和久

  大阪府立大学大学院理学系研究科

• 小西 朗登

  大阪府立大学総合科学部

• 山本 道代

  大阪府立大学総合科学部

• 兪 永武

  大阪府立大学総合科学部

• 飯田 真喜男

  日本電装株式会社

• 磯部 良彦

  日本電装株式会社

• 〓 永斌

  大阪府立大学総合科学部

• 中村 勝吾

  阪大・産研

• 李 成泰

  阪大産研

• 中村 勝吾

  阪大産研

• 李 成泰

  大阪大学産業科学研究所

• 中尾 基

  大阪府大 総合科

• 溝川 悠介

  大阪大学産業科学研究所

• 中村 勝吾

  阪大 産研

• 溝川 悠介

  大阪府立大学総合科学部計測科学講座

• 中尾 基

  大阪府立大学総合科学部

• 菊池 通真

  大阪府立大学先端科学研研所

もっと見る 閉じる

著作論文

• シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度
• 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察
• シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
• チョクラルスキーシリコン結晶における八面体空洞の形成機構
• 自由電子レ-ザの表面化学への応用 (特集/自由電子レ-ザ-研究)
• 高濃度リンドープシリコンの特異な表面形状の原子間力顕微鏡観察
• 極薄酸化膜を有するシリコン表面のアニールによる形状変化
• 超純水表面処理による高濃度リンドープシリコン表面のモフォロジー変化
• 角度依存X線光電子分光法および原子間力顕微鏡による高濃度リン添加シリコン表面の初期酸化の評価
• 酸化膜/リンドープシリコンの化学エッチングによる深さ方向X線光電子分光法分析
• 加熱による高濃度リンドープシリコン表面のリンの挙動-XPSおよびSIMS-
• 極薄い保護酸化膜を有した高濃度リンドープシリコンの昇温清浄化過程
• 23aPS-28 Bi_2Pr_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜におけるPr置換効果
• 23aPS-26 Bi_2La_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜における超伝導とその物性
• ダイヤモンド状炭素膜/Si MIS構造のESCA分析と電気的特性
• X線励起オ-ジェ電子の1次微分スペクトルによる非破壊表面計測
• 4a-RJ-9 Si(111)5×1-Au相の角度分解電子エネルギー損失分光
• 酸化膜/GaAsのX線光電子分光法による評価--熱酸化,陽極酸化,プラズマ酸化の比較
• SnO2上の吸着酸素のESR
• 酸化第2スズ(SnO2)上の酸素水素の吸着現象
• X線励起オージェ電子の一次微分スペクトルによる非破壊表面計測
• 酸化第IIスズ (SnO2) 上への酸素水素の吸着現象
• Si (111) √3-Au構造の角度分解電子エネルギー損失分光
• リンドープポリシリコンのオージェ電子分光分析
• ポリシリコンのオージェ電子分光法および質量分析法による評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク