MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
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概要
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- 日本結晶成長学会の論文
- 1996-07-10
著者
-
横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
香田 拡樹
NTT LSI研究所
-
和田 一実
NTT LSI研究所
-
横山 春喜
NTT LSI研究所
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