香田 拡樹 | NTT LSI研究所

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• 香田 拡樹

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• 和田 一実

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• 和田 一実

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• 中西 秀男

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• 干川 圭吾

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• 笹浦 正弘

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• 横山 春喜

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• 井上 直久

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  電々公社・武蔵野通研

• 大阪 次郎

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著作論文

• MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
• CZシリコン中の酸素の挙動 : 融液成長と蒸着膜
• MOVPE法炭素ドープGaAs成長における不活性炭素の混入 : 気相成長III
• 27pC11 MOVPE成長GaAsの炭素濃度制御(気相成長IV)
• 有限要素法によるLE-VB法結晶成長界面の解析
• LE-VB法GaAs単結晶成長に及ぼす融液組成の影響
• LE-VB法B_2O_3の融液被覆効果

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