AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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AlGaN/GaN 2次元電子ガス構造の熱的安定性を評価した。反射率測定によりAlGaN薄層の膜厚を正確に求め、熱的安定性との相関を調べた。窒素雰囲気中で800℃までの熱処理を行った結果、結晶成長温度より低い熱処理温度でシート抵抗が増加する現象がみられた。更に、シート抵抗の増加はAlGaNの膜厚、結晶性に依存することが分かった。 AlGaN膜厚が薄い(200Å以下)試料でシート抵抗の増加が顕著であることから、熱処理中にAIGaN中のSiドナーが表面から不活性化、または補償されたことが原因と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフオトニクス研究所
-
重川 直輝
NTTフオトニクス研究所
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