廣木 正伸 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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王 成新
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
著作論文
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)