マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性の入力パワー依存性
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概要
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共鳴トンネル HEMT (RTHEMT)は、共鳴トンネル現象および HEMT の高速性と、負性トランスコンダクタンス (NTC) に起因する強い非線形性を併せ持つことから、マイクロ波非線形回路への応用が期待されている。今回、マイクロ波帯における RTHEMT の大信号特性の入力パワー依存性について、実験とシミュレーションにより調べたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
-
岡崎 浩司
NTTワイヤレスシステム研究所
-
岡崎 浩司
Ntt 未来ねっと研
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
-
前澤 宏一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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