In_<0.53>Ga_<0.47>As/AlAs共鳴トンネルダイオードのSパラメタ解析

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概要

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我々は、超高速の動作が期待できるIn_<0.53>Ga_<0.47>As/AlAs共鳴トンネルダイオード(RTD)について、評価中にRTDに与える熱的な負荷を低く抑えかつ高時間分解能で測定できるEOサンプリング技術を用いて、スイッチング時間を評価し、最高速で1.5psのスイッチングが得られることを示した。しかし、このRTDのスイッチング時間制限要因を明確にするためには、空乏層容量やデバイス寄生抵抗等、小信号等価回路パラメタを正確に把握することが重要になってくる。そこで今回我々は、In_<0.53>Ga_<0.47>As/AlAsRTDについて、Sパラメタ解析を行い、小信号等価回路パラメタと、スイッチング時間との関係について考察を行ったので報告を行う。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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