送信機相互変調歪を改善する増幅器の一構成法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年のMMIC技術は所要RF回路をわずか数ミリ角で集積化できるレベルに到達しており、無線通信機器の小型軽量化に貢献している。更なる小型軽量化には、MMICとの一体化が困難なフィルタやアイソレータなどの大型な回路素子を削減する回路構成法が有効である。本報告ではフィルタやアイソレ一夕を使用せずに送信機相互変調歪を改善する増幅器の構成法について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
関連論文
- B-6-50 InP HEMT 4x4スイッチのプロテクションスイッチへの応用(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- C-2-21 二本の伝送線路を用いたK帯MMICアナログ移相器
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- TC-2-4 マルチメディアモバイルアクセスのためのマイクロ波回路技術
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- 1998年IEEE MIT-S国際マイクロ波シンポジウム報告
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ワイヤレス通信に向けた回路・デバイス技術
- ポリイミド/アルミナセラミック多層基板を用いた無線アクセス用25GHz帯RFモジュールの検討
- K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
- フィードフォワード制御型高効率線形電力増幅器
- ポリイミド/アルミナセラミック多層構造を用いた準ミリ波帯高周波ボードの基礎検討
- 3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化
- 3次元MMIC構造を用いた広帯域0/π位相変調器
- 低損失アクティブインダクタの一構成法
- デジタル移動通信用高効率線形電力増幅器
- ドレイン接地FETを用いた位相歪補償電力増幅器に関する検討
- 可変擬似伝送線路リアクタンスを用いたX帯モノリシック移相器
- 可変周波数帯方向性結合器
- 非等幅カスコード接続FETの位相歪に関する検討
- E/D構成型L帯超低消費電力モノリシック低雑音増幅器
- λ/4スタブを用いた二周波数帯同時整合回路とMMIC広帯域(30-60 GHz)増幅器への応用
- 低電圧動作2GHz帯Siバイポーラ直交変調器
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- IF高速バーストAGC増幅器の構成法に関する一検討
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- C-2-10 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- K帯アクティブインダクタ
- A-5-6 光CDMAにおける拡散符号方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- A-5-43 CDMAを用いた光マルチチャンネルアクセス技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
- C-2-11 無線携帯端末搭載を目指した超低消費電力DDS-IC(株)
- デジタルフィルタを用いたDDSの検討
- C-2-17 共鳴トンネルHEMTの分周動作
- 共鳴トンネルHEMTを用いた高調波ミキサ
- 共鳴トンネルHEMTを用いたミキサ
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性
- マイクロ波共鳴トンネルHEMTの大信号特性の入力パワー依存性
- 共鳴トンネルHEMTを用いたサンプリング位相検出器
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- 位相面の対称性を利用したROMによる位相検出方法とそれを用いた85Mbit/s DQPSK変復調LSI(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- PHS用高周波回路技術 (パ-ソナルハンディホンシステム)
- 広帯域45゜電力分配回路を用いたミキサ
- TC-1-4 多層セラミック/多層ポリイミド3次元実装技術
- RF帯マルチチップモジュール(MCM)の展望
- 拡張位相アキュムレータを用いたDDS
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- ステップ周波数の任意設定を可能としたダイレクトデジタルシンセサイザ
- C-2-1 複数の遅延発生器を用いた広帯域出力DDS
- 位相補間型DDSの広帯域化
- C-2-54 能動インダクタを用いた電力増幅器の歪補償に関する一検討
- カスコード接続FETを用いた定位相・可変利得増幅器
- 送信機相互変調歪を改善する増幅器の一構成法
- IF帯リミッタ増幅器の一構成法
- 高速無線LAN用MMICの開発
- 低損失マイクロ波アクティブインダクタに関する一検討
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機RFモジュール
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機RFモジュール
- 1.9GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機RFモジュール
- C-2-91 1.9 GHz帯ダイレクトコンバージョン受信機RFモジュール
- カスコードBJT終端回路を用いた分布増幅器
- IF帯90゜分配・合成回路の一構成法