PLL局発用Ka帯MMIC高調波発振器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Na帯の局部発振系の構成としてPLL、シンセサイザ化を実現する場合、より低い周波数帯の位相同期発振器出力をn逓倍する方法が考えられるが、局部発振系の回路規模が大きくなりがちな欠点がある。また、局部発振系全体をより簡易でローコストな構成にするためには、HEMT等のミリ波用デバイスよりも歩留り、設計性の高井MESFETデバイスを、可能な限り適用することが望ましい。今回、高調波発振を利用することによって、PLL安定化可能なKa帯発振器をイオン注入型のMESFETを用いて試作したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
関連論文
- 22GHz帯1チップMMIC歪補償回路
- ペンローズタイルを用いた非周期アレーアンテナ(アンテナ・伝搬)
- ポリイミド/アルミナセラミック多層基板を用いた無線アクセス用25GHz帯RFモジュールの検討
- K帯低損失高アイソレーション GaAs MMIC SPnTスイッチ
- 直列給電法による低消費電力低雑音増幅器
- 多層構造を用いた対称型ブロードサイドカプラ
- C-2-9 MEMSスイッチを用いた高効率トリプルバンド電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- MEMSスイッチを用いた1W級マルチバンド電力増幅器
- C-2-43 帯域切替型電力増幅器におけるスイッチの挿入損失の評価(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-129 コプレーナ型高温超伝導フィルタの耐電力化(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
- C-2-33 歪周波数特性補償型ディジタルプリディストータにおける高次歪補償の効果(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-4 MEMSスイッチを用いたマルチバンド電力増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-3 MEMSスイッチによるスルー切替え機能を有する90度ハイブリッド回路(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-109 高温超伝導材料を利用した極低温受信フロントエンドのフェイルセーフ化回路の特性
- C-2-31 歪周波数特性補償型ディジタルプリディストータによるドハティ増幅器の線形化
- C-2-30 歪周波数特性補償型ディジタルプリディストータの歪補償効果
- C-2-94 5GHz 帯コプレーナ型高温超伝導フィルタの非線形特性
- C-2-39 極低温受信フロントエンドのフェイルセーフ化回路
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MIC, MMIC受動回路構成技術の動向
- V帯送受信用MMIC
- 思考ツールとしての回路シミュレータ
- MMICサンプリング位相検波器を用いたV帯MMIC位相同期発振器
- バランス型FET高調波ミキサ
- 位相同期V帯発振器用 MMIC
- SC-2-6 べき級数型ディジタルプリディストータの提案
- K帯低損失、高アイソレーションGaAs MMIC SPnTスイッチ
- PLL局発用Ka帯MMIC高調波発振器
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- B-5-72 CDMA方式アダプティブアレー用塔頂設置型マルチポートアンプ
- 低歪みK帯レジスティブFETミキサMMIC
- 小型・広帯域MMICダウンコンバータ
- MESFETを用いた60GHz帯MMICミキサ