K帯低損失、高アイソレーションGaAs MMIC SPnTスイッチ
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概要
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無線通信システムにおいて、準ミリ波帯以上の高い周波数では、各RF回路に性能の余裕が無いため、RFスイッチ回路の特性が通信品質に大きな影響を与える。ここでは、低挿入損失、高アイソレーション化を図るため、LC整合により、スイッチ全体として直列共振系となる構成の1対多端子(sPnT)GaAs MMICスイッチをK帯で検討した。試作した25GHz帯SPDTスイッチは、挿入損失1.7dB、アイソレーション24dB、SP6Tスイッチは、挿入損失4.2dB、アイソレーション20dBの良好な結果を得た。本構成は、SPnTスイッチの簡易・小型化に有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
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