インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
40Gbit/s領域での基幹伝送システムの大容量化の検討が活発化している。キー技術となる広帯域低リプルなべースバンド光受信フロントエンドに適した構成として、導波路型PIN-PD(WGPD)と分布増幅ICを用いた構成を提案してきた。今回、WGPDと分布増幅ICの接続部の低容量化を図るため、フリップチップ実装を適用した。この際間題となる素子同士の近接効果によるインピーダンス不整合を解決し、ピーキングの少ない40Gbit/s光受信モジュールを実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
米山 幹夫
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
-
米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
-
恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
宮本 裕
Ntt 光ネットワークシステム研
関連論文
- B-10-66 パスプロビジョニングに適したトーン変調 CS-RZ 自動分散補償による 1.28Tbit/sWDM 現場実験
- PLCプラットフォームを用いた同時送受信用1.3/1.55μmWDM光モジュール
- PLCハイブリッド集積光モジュールの156Mb/sバーストモード送受信動作の検討
- PLCハイブリッド集積光モジュールの156Mb/sバーストモード送受信動作の検討
- プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の信頼性評価
- SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
- C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- インピーダンス整合フリップチップ実装を用いた40Gbit/s光受信モジュールの受信特性
- GaAs MESFET ICを用いた10Gbit/s 1.3μm帯LDモジュールとAPDモジュール
- PLCプラットフォームを用いたフィルタ反射型WDM送受信光回路
- 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
- 導波路型p-i-nPD搭載光電気変換プローブの低分散化
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- 深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の低電圧化
- 光ハイブリッド実装用高効率プレーナ導波路型pinフォトダイオード
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 40 GHz分布ベースバンドアンプモジュール
- 光アクセスシステム用PLC型光部品の信頼性
- 光アクセスシステム用PLC型光部品の信頼性
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 分布利得ファイバを用いて非線形光学効果を抑圧した10Gbit/s、1600km伝送実験
- B-10-163 光デュオバイナリ信号を用いた高パワー高分散耐力伝送
- B-10-63 40Gbit/s光デュオバイナリ信号とゼロ分散フラット伝送路を用いた高密度WDM伝送
- B-10-62 光変型デュオバイナリ信号による光伝送
- 次世代超高速伝送技術 (特集論文 テラビット通信技術への挑戦)
- 光ハイブリッド実装用1.3μm導波路型フォトダイオード
- 低雑音・高出力1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯Pr添加ファイバ増幅器を用いた10Gbit/s伝送実験
- 低雑音・高出力1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- フィルタリングされた光ソリトンによる20Gbit/sパルス列の雑音成分の低減
- PM-AM変換効果を用いた分散変動検出による適応分散等化方式の検討
- 40Gbit/s多中継伝送系における分散等化方式の検討
- ゼロ分散フラット伝送路を用いた分散等化器不要な40 Gbit/s×10チャネルWDM伝送実験
- PLCプラットフォームを用いたWDM光回路の受信特性
- 広帯域、高感度特性を有する低コスト端面入射屈折型フォトダイオードモジュール
- 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 高感度, 低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 低電圧光ハイブリッド実装用高効率導波路型フォトダイオード
- PLCプラットフォームを用いた12Gbit/s光ATMスイッチ用ハイブリッド集積差動受信モジュール
- 単一走行キャリア・フォトダイオード駆動の光変調器を用いた40 Gbit/s デマルチプレクサ
- 4チャネル多重40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた160Gbit/s WDM伝送実験
- 広帯域光増幅器を用いた40Gbit/s TDM信号と20Gbit/s×4ch WDM信号の同期伝送
- モード同期LDによる四光波混合抑圧40Gbit/s x3ch RZ伝送
- 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いた識別回路直接駆動型40Gbit/s高感度受信回路
- クロックモニタを用いた自動分散等化方式の検討
- 光デュオバイナリ信号を用いた超高速光伝送システムの検討
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速伝送システムの受信特性における信号フォーマットの影響に関する検討
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- 光加入者システム用光デバイス : 最近の光半導体デバイスと光モジュール
- 超高速光リンクシステム設計における1次及び2次PMDの影響評価とマネージメント(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-67 高PMD現場伝送路における43Gbit/s CS-RZ及びNRZ信号の伝送特性(B-10. 光通信システムB(光通信))
- 光加入者システム用光モジュール
- PLCプラットフォーム上への複数素子実装による4ch LDモジュール
- 多層配線構造GaAs MESFETを用いた50GHz帯域ベースバンド増幅器モジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- 光デュオバイナリ信号によるSTM-64信号伝送
- B-10-53 プリチャーピングと分散マネジメントを用いた4x40Gbit/s WDM長スパン伝送
- 0.2μm GaAsMESFETを用いた10Gbit/s光デュオナイナリ用プリコーダIC
- 超広帯域フリップチップ実装技術
- フリップチップ実装構造における反射特性の改善
- C-3-5 PLCプラットフォームを用いたdual-PD/プリアンプIC混載差動受信モジュールの作製
- PLCプラットフォーム上へのパッシブアライメントによるLD,モニターPDの搭載
- C-3-8 シリコンベンチを用いた高速光受信モジュール
- 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- C-3-12 光実装基板のプリント配線板上への実装
- 超広帯域集積回路・モジュ-ル設計技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- B-10-67 位相差法を用いた8psパルスの400km伝送路中での適応分散等化実験
- 交番チャープ信号を用いたプリセット型自動分散等化方式の一検討
- ピコ秒パルス伝送時における群速度分散への温度変動の影響と光位相共役によるその補償実験
- 分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC
- 分布型直流レベルシフト回路を用いた2段分布ベースバンド増幅器IC
- 0〜40 GHz GaAs MESFET分布型信号分配IC
- DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC
- 位相共投光を用いた10Gbit/s,290km無中継伝送実験