分布型直流レベルシフト回路を用いた2段分布ベースバンド増幅器IC
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概要
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光伝送用広帯域増幅器として、分布増幅型構成によるベースバンド増幅器をこれまで提案してきた。今回は、新しい分布型直流レベルシフト回路を用いて直流結合された二段分布ベースバンド増幅器の設置法及びICの試作評価結果について報告する。量販可能なGaAs MESFETを用いた試作の評価結果は利得17dB、帯域DC〜30GHzという特牲を示し、これまで報告されたGaAs MESFETのベースバンド増幅器ICのなかで最大の利得帯域積222[GHz]を得た。以下に詳述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
今井 祐記
NTT LSI研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTT LSI研究所
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