分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC
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概要
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光伝送用超広帯域増幅器として、前回新しい分布型直流レベルシフト回路を用いて直流結合された二段分布ベースバンド増幅器ICについて報告した。今回はさらに分布型SCFLレベル変換機を用いた、識別器に直流結合可能な分布ベースバンド増幅器の設計法と試作結果について報告する。量販可能なGaAs MESFETを用いた試作の評価結果は利得7dB、帯域0〜30GHzという特性を示し、これまで報告されたSCFLインターフェースをもつGaAs MESFETのベースバンド増幅器ICのなかで最大の帯域を得た。以下に詳述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
今井 祐記
NTT LSI研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTT LSI研究所
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